米IBMが米国時間10月10日に，総額50億ドルの半導体事業向け投資を行う計画を明らかにした。半導体工場の新設や拡張などを行う。「IBM社の歴史のなかで，過去最大の投資額となる」（IBM社）という。
「大規模サーバー，インターネット・アクセス端末，ネットワーク機器での半導体需要に対応する」（IBM社会長兼CEOのLou Gerstner氏）。
まず25億ドルを投じて，米ニューヨーク州East Fishkillに「世界最先端」の12インチ（300mm）ウエーハ工場を建設する。銅（Cu）配線技術やSOI（Silicon-On-Insulator：シリコン／絶縁膜構造），低誘電率の絶縁膜材料（low-k)などの技術を使う。0.10μm未満の製造技術を用いる。
「0.10μmルールを用いた半導体量産ラインは当社が初めて」（IBM社）。新工場の稼動は2002年後半を予定しており，2003年前半までに最大1000人を新たに雇用する計画である。
また，米バーモント州バーリントン工場や滋賀県野洲工場，独InfineonとフランスのCorbeil-Essonnesに設立した合弁企業Altis Semiconductor社の設備も拡張する。さらに有機系の低誘電率層間絶縁膜やセラミック積層チップ・パッケージ工場などについても，世界規模で拡張を行っていく。
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