米Intelと米Micron Technologyは2015年7月28日（米国時間）、新方式の不揮発性メモリーである「3D XPoint」（写真1）を発表した。現在主流の不揮発性メモリーである「NAND」方式のフラッシュメモリーに比べて1000倍高速で、DRAMよりも記録密度が10倍高いとしている。
現在様々なメモリーメーカーが、DRAM並みに高速でありながら、フラッシュメモリー同様に電源をオフにしてもデータが消えないという「不揮発性」を持つ新世代不揮発性メモリーの開発を進めている（関連記事：“第3のメモリー”の衝撃、ストレージとDBが一変する）。今回、IntelとMicronが発表した3D XPointも、そのような新世代不揮発性メモリーの一つと位置付けられる。両社は3D XPointの用途として、機械学習やストリーミング処理などを挙げている。2015年内にサンプル出荷を開始し、両社がそれぞれ製品を販売する。
これまでのフラッシュメモリーが、メモリーセルに「電荷」を蓄えることでデータを表していたのに対して、新世代不揮発性メモリーはメモリーセルの「抵抗値」を変えることでデータを表す。その方式としては、「相変化膜」をヒーターによって加熱することで抵抗値を変化させる「PCM（相変化メモリー）」や、「強磁性電極」の磁化の向きを変えることで抵抗値を変化させる「STT-MRAM（スピン注入型磁気記録メモリー）」、「金属酸化膜」に電圧を加えることで抵抗値を変化させる「ReRAM（抵抗変化型メモリー）」などが知られている。
IntelとMicronは3D XPointの方式や材料などを発表していないが、メモリーセルに送る電圧を変えることでデータの読み書きなどを行うと説明している。3D XPointはデータを表すメモリーセルと、メモリーセルを流れた電流を読み取るセレクターが対になった構造で、メモリーセルとセレクターは垂直方向に積み重ねられる（写真2）。
IntelとMicronはまず、メモリーセルとセレクターを2層にした製品を出荷する予定。メモリーのダイ1個当たりの容量は128ギガビットとなる。将来的にはメモリーセルとセレクターの層を増やすことで、記録密度を向上できるとしている。
