米IBM，台湾Macronix International，ドイツQimonda（ドイツInfineon Technologiesの子会社）の3社は，Phase-Change Memory（PCM:相変化メモリー）と呼ぶ新しい不揮発性メモリー（NVM）を開発した。3社が米国時間12月11日に明らかにした。新たな材料を利用することで，現在のフラッシュ・メモリーより高速で，メモリー・セルが小さいPCMを実現できたという。
PCMは，データを電気として保存するのではなく，特殊な素材の状態（相）をアモルファス状態から結晶状態に切り替えることによりデータを保存する新しい方式のメモリー。電源を切ってもデータを保持できる不揮発性を備え，高速/高密度データ・ストレージを実現できる可能性があるという。
3社は，ゲルマニウム/アンチモン（GeSb）合金に不純物を添加した材料を用い，PCMを製造した。結晶状態の切り替えには熱を利用している。
このPCMは，現在のフラッシュ・メモリーに比べ500倍以上高速なスイッチング動作が可能で，メモリー・セルに対するデータ書き込み時の消費電力は2分の1を切った。セルの大きさは3nm×20nmでフラッシュ・メモリーよりはるかに小さく，半導体業界が2015年に対応する計画の製造プロセス・ルールに相当するという。
同PCMの詳細は，カリフォルニア州サンフランシスコで開催中の米国電気電子学会（IEEE）のInternational Electron Devices Meeting（IEDM）と，同じくサンフランシスコで2007年2月11日～15日に開催される国際固体素子回路会議（ISSCC）で発表する。論文の題名は「Ultra-Thin Phase-Change Bridge Memory Device Using GeSb」（GeSbによる超薄型相変化ブリッジ・メモリー素子）。
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