米Intelは現地時間11月8日，65ナノメートル（nm）製造プロセスによるマルチ・レベル・セル（MLC）NOR型フラッシュ・メモリーの量産体制に入ったことを明らかにした。量産体制に入った製品には，携帯電話機向けの容量1GビットのNOR型フラッシュ・メモリーも含まれる。

　これらの新製品は，同社の「StrataFlash Cellular Memory（M18）」アーキテクチャをベースとする。同社の90nmベースのフラッシュ・メモリーと互換性があるため，携帯電話機メーカーは容易に65nm製品に移行できるという。M18チップは，Intelが仏伊合弁のSTMicroelectronicsと共同で開発したMLC技術によるメモリー設計をベースとしている。

　新しい65nmNOR型フラッシュ・メモリーは，読み出し速度が最高133MHzで，書き込み速度は前世代の製品のおよそ2倍に相当する1.0Mバイト／秒に向上。400万画素のデジカメとMPEG-4ビデオに対応可能となった。

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