ハイブリッド・シリコン・レーザー
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米Intelと米カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）の研究グループは，シリコン（Si）製LSI内でレーザーを発振できる素子「ハイブリッド・シリコン・レーザー」の製造に成功した。Intelが米国時間9月18日に明らかにしたもの。
製造した素子は，リン化インジウム（InP）によるレーザー発振部と，Siによる光導波路を単一LSIとして統合した。レーザー発振部から生成されるレーザー光は，LSI内部のほかのモジュールや外部に導ける。
Siは光配線として使えるほか，光の検出や変調，増幅にも利用できるが，レーザー光の発振効率は低い。発振効率の高いInPは光通信機器でよく使うものの，Siと異なる製造プロセスを必要とする。そのため両材料を用いる素子の製造コストは非常に高く，量産できずにいたという。
IntelとUCSBは低温の酸素プラズマを用い，およそ原子25個分という薄い酸化層をSiとInPの両表面に設けた。この酸化層を加熱して圧力を加えることで「ガラスの接着剤」（Intel）の役割を持たせ，両材料を単一LSI融合させることに成功した。
標準的なSi半導体の量産プロセスを使っているため，製造コストを大幅に削減できるという。「将来のコンピュータやデータセンターの内部および周辺で利用可能な低コスト／広帯域のSiフォトニクス素子を製造するにあたり，今回の成功は大きな障壁を取り除く」（Intel）。
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