米Intelが,低価格な携帯電話機向けのNOR型フラッシュ・メモリー製品を米国時間8月1日に発表した。記憶容量は32M~256Mビット。オプションでRAMを内蔵できる。現在サンプル出荷中で,2006年第3四半期に量産を開始する。Intelでは,同フラッシュ・メモリーを搭載した携帯電話機は,主なメーカーから当期中に出荷されると見込む。

 パッケージは88ボールのQUAD+で,アドレス用接点とデータ用接点を共有するA/D Mux対応として接点数を最小限に抑えた。その結果,簡素な設計が可能となり,製品開発期間の短縮と,設計コストの低減につながるという。Intelは,A/D Mux対応の107ボール16Cパッケージ製品も提供する予定だ。

 設計ガイド,データシート,移行ガイドなどを含む「Low-Cost Handset Design Kit」は,IntelのWebサイトからダウンロードできる。

 またIntelフラッシュ製品グループ担当副社長兼ジェネラルマネージャのDarin Billerbeck氏によると,「現在130nmおよび90nmの製造プロセス・ルールを,2007年に65nmに微細化する計画」という。

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