米Intelは，量産可能な3次元（3D）構造のトライゲート・トランジスタを開発した。Intel社が米国時間6月12日に明らかにしたもの。新開発のトライゲート・トランジスタは高性能かつ省電力であり，Intel社では「45nm以降の微細なプロセス・ルールで製造される将来のマイクロプロセサにとって，基本的な素子となる」と見込む。

　トランジスタは微細な構造を持つシリコン製のスイッチで，あらゆる半導体LSIの基本的な部品に相当する。従来のプレーナ型トランジスタは，1950年代に初めてトランジスタが発明されて以来，同じ平らな構造をベースとしている。

　ただしこの構造のままでは，半導体製造技術の微細化が進んでナノ・スケールになると，トランジスタの厚みは原子数個のレベルにまで薄くなり，漏れ電流が増大し，正常に動作させるには多くの電力が必要になる。このため発熱量が許容できないレベルに達してしまう。

　Intel社のトライゲート・トランジスタでは，平面上に垂直な壁を持つ“台地”を設けて3D構造を作った。こうすることで，トランジスタの上部に加え，台地の壁の部分にも電気信号を通すことが可能になる。その結果，基板の面積を広げることなく，より多くの電流を流せる。「漏れ電流が相当小さく，現在のプレーナ型トランジスタより消費電力がはるかに少ないことから，当社の省電力化に向けた取り組みで重要な役割を担うだろう」（Intel社）。

　同社によると，「トライゲート・トランジスタは，65nmプロセスで製造した現行トランジスタに比べて駆動電流（スイッチング速度）が45％増え，オフ時の電流が50分の1に減り，スイッチング切り替え時の消費電力が35％減る」という。

　「当社はトライゲート構造のトランジスタ，高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜，ストレインド・シリコンという3つの主要技術を組み合わせることに成功し，トランジスタの特性で再び記録を作った。こうした結果から，次の10年間もムーアの法則を維持できると確信している」（Intel社副社長兼コンポーネント研究ディレクタのMike Mayberry氏）。

　なおIntel社は，6月13～17日にハワイのホノルルで開催される2006 Symposium on VLSI Technologyにおいて，同トランジスタに関する発表を行う。

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