米Intelは，45nmプロセスで実際に作動する記憶容量153MビットのSRAMチップを開発した。Intel社が米国時間1月25日に明らかにしたもの。300mmウエーハによる量産は2007年に開始できると見込んでいる。
45nm版SRAMチップの製造は，オレゴン州ヒルズボロにある半導体工場「D1D」で行った。10億個以上のトランジスタを集積している。製造プロセスを微細化したことで，既存チップに比べ漏れ電流の量が5分の1に減り，消費電力が少なくなった。その結果，モバイル機器のバッテリ駆動時間が長くなり，より小型で強力な製品の開発が容易になるという。
「かつて当社が65nmプロセスの量産を初めて行い，今回45nmチップの製造に成功したことは，当社のLSI技術／製造能力がトップ・クラスであることを示している。当社の45nm技術は消費電力当たりの処理性能を改善する基盤となり，パソコンの使い勝手向上につながる」（Intel社技術＆製造グループ副社長兼ジェネラル・マネージャのBill Holt氏）。
同社は，建設中の半導体工場「Fab 32」（アリゾナ州チャンドラ）と「Fab 28」（イスラエルのキリヤットガット）で，45nmプロセスによる量産を行う予定。
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