米Intelと仏伊合弁のSTMicroelectronicsが，携帯電話機向けのNOR型フラッシュ・メモリー・サブシステムを共通化すると，米国とスイスでそれぞれ現地時間12月5日に発表した。両社はこの共通仕様をベースに，ハードウエアおよびソフトウエアに互換性のあるメモリー製品を提供していく。

　最初に利用可能とする製品は，90nmプロセスで製造したマルチ・レベル・セル（MLC）タイプの512MビットNOR型フラッシュ・メモリーを基盤とする。同製品は両社が既に提供を開始した。今後，65nm版MLC NOR型フラッシュ・メモリーにも共通仕様を適用し，単一チップの1GビットNOR型製品に対応させる計画だ。

　この仕様に対応したメモリー・サブシステムを使うと，携帯電話機OEMは開発コストを削減すると同時に，メモリー設計を簡素化できるので開発期間の短縮が可能という。

　米メディアの報道（CNET News.com）によると，両社は45nm世代のフラッシュ・メモリーにも同仕様を適用する予定で，2008年ごろから数年にわたって供給できる見込みという。

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