米Intelは，イスラエルのキリヤットガットにある自社敷地内に300mmウエーハ／45nmプロセス対応の半導体工場「Fab 28」を新設する。Intel社が米国時間12月1日に明らかにしたもの。直ちに建設を開始し，2008年後半にマイクロプロセサの生産を開始する予定。投資額は35億ドルで，イスラエル政府も資金を提供する。

　クリーン・ルームの広さは約20万平方フィート（約1万8580平方m）。完成すると，同社としては7番目の300mmウエーハ対応工場で，2番目の45nm対応工場となる。

　300mmウエーハの面積は200mmウエーハの2倍以上あるため，ウエーハ1枚で作れるLSIの数が大きく増えて製造単価が安くなる。LSIを1個作るのに必要な資源の量も減り，200mmウエーハと比べエネルギーと水の消費は40％少なくて済むという。また製造プロセスを45nmに微細化することで，ダイの面積が90nmプロセスの約半分となる。

　新工場の建設により，新たに2000人以上の雇用が発生すると見込む。

　米メディアの報道（CNET News.com）によると，既にイスラエル政府は工場新設用として5億2500万ドルの資金援助を了承したという。

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