米Intelと米Micron Technologyは米国時間2010年2月1日、製造プロセス・ルール25nm、記憶容量8GバイトのNAND型マルチレベル・セル(MLC)フラッシュ・メモリーを発表した。現在、サンプル出荷中。量産開始は2010年第2四半期の予定。

 両社は、25nmプロセスで製造した半導体チップはこれが世界初としている。ダイの面積は167平方mmでCDメディア中央の穴に入る大きさ。1セルに2ビットの情報を記録するMLCタイプとし、1チップで8Gバイトの記憶容量を実現した。これまでの製品に比べて実装時のチップ数を半分に減らせるため、コスト削減や記憶容量の拡大につながるという。対応パッケージはTSOP。

 製造はIntelとMicronの合弁会社である米IM Flash Technologies(IMFT)が担当した。IMFTは設立当初の2006年に50nmプロセス・ルールで操業を開始し、その後2008年に34nm、今回25nmへ移行。約18カ月ごとに集積度を2倍に高めるペースで微細化してきた(関連記事:米Intelと米Micron,民生電子機器向けNANDフラッシュ・メモリーの合弁会社を設立へ)。

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