米Intelと米Micron Technologyは米国時間2008年11月24日,34ナノメートル(nm)製造プロセス技術による32GビットMLC(多値セル)型NANDフラッシュ・メモリーの量産を開始したと発表した。両社の合弁会社のIM Flash Technologies(IMFT)で開発された製造技術により,48ピンのTSOP(Thin Small-Outline Package)に収まるモノリシック構造のフラッシュ・メモリー・チップが製造される。

 このチップは,300mmウエーハを使って製造され,ダイ・サイズは172平方mm。デジタル・カメラや音楽プレーヤなどの小型製品向けにコスト効率の良い高密度ストレージを提供できるほか,SSD(半導体ディスク)においてもコスト効率に優れた大容量製品を実現できるとしている。

 また両社は,2009年前半には,34nmプロセスを使って,より低密度のMLCとSLC(2値セル)製品のサンプル出荷も開始する予定。

 IMFTにおけるNAND型メモリー製造の34nmプロセスへの移行は,計画よりも早く進んでいる。米ユタ州リーハイにある製造工場では,2008年内に製造能力の50%以上を34nmプロセスに切り替える予定だという。

 米CNETnews.com によれば,Micronは2009年3月に256GバイトSSDの量産を開始する予定だという。すでに韓国Samsung Electronicsは2008年11月20日に,256Gバイトの2.5インチ型SSDの量産を開始したと発表している(既報)。