米IBM，英ARM，シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing，韓国Samsung Electronicsの4社は米国時間2008年9月29日，高誘電率絶縁膜／金属ゲート電極（HKMG：high-k／metal gate）技術に基づく32nmルールと28nmルールのシステム・オン・チップ（SoC）設計プラットフォームの開発で協力すると発表した。

　HKMG技術は，モバイル端末，ポータブル機器，家電機器といった組み込み分野をターゲットとするもの。複数年の協業を通じて，ARMがロジック，メモリー，インタフェース製品などの設計プラットフォームを開発してライセンス供与し，IBMの「Common Platform」技術アライアンス，Chartered，Samsungがこれらを顧客に提供する。

　またARMは，HKMGに基づく32nm／28nm技術を使って最適な消費電力と性能の実現を目指すほか，自社のプロセサ「Cortex」シリーズへの応用に取り組む。

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