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米IBMは米国時間2008年4月10日，記憶密度を現行メモリーの100倍以上に高められるという新型メモリー「レーストラック・メモリー」（レース場メモリー）を発表した。少ない消費電力で高速動作が可能で，可動部品を使わないため耐衝撃性に優れ，高い安定性／信頼性を持つうえ，製造コストが低いという。
デジタル・データをナノサイズのワイヤー上の微細な磁気パターンで表現し，このパターンを動かすことでデータの読み書きを行う。磁気パターンの移動する様子がレース場を走る自動車と似ていることから，レーストラック・メモリーと名付けた。このワイヤーを高い密度で集積すると，メモリーLSIとして利用できる。
まだ基礎研究の段階にあるが，レーストラック・メモリーを開発したIBMフェローのStuart Parkin氏は，今後10年以内に実用化可能と見込む。「フラッシュ・メモリーの高速性／信頼性と，ハード・ディスク装置の大容量を兼ね備えるメモリーが，予想より早く実現できそうだ」（IBM）。
研究の詳細は，米国の科学雑誌「Science」（4月11日号）に掲載する論文「Current Controlled Magnetic Domain-Wall Nanowire Shift Register」（「電流を使った磁壁ナノワイヤー・シフト・レジスタの制御」），「Magnetic Domain-Wall Racetrack Memory」（「磁壁レーストラック・メモリー」）で説明する。
米メディア（CNET News.com）によると，IBMは2～4年後に実際に動くレーストラック・メモリーを試作し，7～10年後に量産可能な状態にしたい考えという。
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