米Intelは米国時間10月25日，アリゾナ州チャンドラの半導体工場「Fab 32」で，同社として初の45nmプロセス・ルールによるプロセサ量産を開始した。同社初となるこの45nm版プロセサは，11月12日に出荷を開始する予定。
Fab 32は，30億ドルかけて建設した45nmプロセス／300mmウエーハ対応の新工場。敷地面積は100万平方フィート（約9万2900平方メートル）で，クリーン・ルームの広さは18万4000平方フィート（約1万7100平方メートル）ある。1000人以上の従業員が作業に従事する（関連記事：米Intel，アリゾナ州に300mmウエーハ／45nm半導体工場を30億ドルで建設，2007年後半に操業開始）。
Intelが同工場で量産を始めたプロセサは，高誘電率（high-k）絶縁膜と金属ゲート電極を採用したトランジスタを集積したもの。このhigh-k絶縁膜にはハフニウム（Hf）を利用している。パッケージは鉛／ハロゲン・フリーとした。
現在Intelには，6つの300mmウエーハ対応工場がある。Fab 32は，同社として2番目の45nm対応工場。Intelは2007年1月，最初の45nm対応工場であるオレゴン州ヒルズボロの「D1D」において，45nmプロセサを試作した（関連記事：Intel，45nm版プロセサの試作に成功，「Penryn」製品系列として2007年下半期より提供）。
Intelは，2008年中に2つの45nmプロセス／300mmウエーハ対応工場「Fab 28」（イスラエルのキリヤットガット）と「Fab 11x」（ニューメキシコ州リオランチョ）の操業開始を計画している。
米メディア（CNET News.com）によると，IntelがFab 32で量産を開始したプロセサは，「Intel Core」アーキテクチャ系の「Penryn」（開発コード名）であるという。
また別の米メディア（InfoWorld）によると，Intelは2007年中に15種類，2008年第1四半期中にさらに20種類の45nmプロセサをリリースする計画である（関連記事：Intel，32nmプロセスのチップ製造を2009年に開始へ）。
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