写真1●銅の表面に配置した鉄の磁気異方性のイメージ
[画像のクリックで拡大表示]
写真2●単一分子による論理ゲートの3次元イメージ
[画像のクリックで拡大表示]
米IBMが米国とスイスで現地時間8月30日，原子／分子サイズ・デバイス実現に向けた2件の基礎的な研究成果を発表した。詳細は米国の科学雑誌「Science」（8月31日号）に掲載する。
1件目の研究成果は，世界で初めて単一原子の磁気異方性の計測に成功したこと。IBMは走査型トンネル顕微鏡（STM）を使って銅（Cu）の表面に複数の鉄（Fe）原子を正確に配置し，各Fe原子について磁気異方性の方向と強さを測った。
この計測技術により，IBMは原子1個に1ビット（2進数で1ケタ）の磁気情報を保存でき，記憶デバイスとして使えると見込む。「長編映画3万本弱や，データ量換算で1000兆ビットを超えるであろう『YouTube』の全ビデオ数百万本を，『iPod』サイズの機器に入れておける」（IBM）。
2件目の研究成果は，単一分子の構造を壊すことなくスイッチング動作に成功したこと。ナフタロシアニン有機分子内に水素（H）原子2個を配置しておくと，電圧パルスの印加でHの位置が変わった。H原子が移動しても分子の外部構造は変化しないので，論理ゲートやメモリー素子としての利用に適しているという。
Scienceに掲載するレポートのタイトルは以下の通り。
- 「Large Magnetic Anisotropy of a Single Atomic Spin Embedded in a Surface Molecular Network」
- 「Current-Induced Hydrogen Tautomerization and Conductance Switching of Naphthalocyanine Molecules」
[発表資料へ]
