米Intelは米国時間8月21日,組み込み機器向けNOR型フラッシュ・メモリーについて,65ナノメートル(nm)製造プロセスへ移行すると発表した。これにより,「組み込み製品市場にとって重要な,価格と性能のバランス,長期的製品ライフサイクルへのサポートが可能になる」としている。

 同社の65nm技術を用いた製品は,主に民生電子器機,通信装置,産業用装置などに使用される。顧客向けサンプル出荷は2008年前半に開始する予定。

 同社は組み込み市場向けに,パラレルおよびシリアルのNOR型フラッシュ・メモリーを手がけており,「StrataFlash Embedded Memory」(P30/P33),「Embedded Flash Memory」(J3 v.D),「Serial Flash Memory」(S33)などがある。

[発表資料へ]