台湾のTaiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSMC)は,45nm製造プロセス・ルールによるLSI製造を2007年9月初めに開始する。TSMCが現地時間4月9日に明らかにした。
TSMCは,45nmプロセスを光源波長193nmの液浸リソグラフィ技術で実現する。面積70平方mmのダイに5億個のトランジスタを集積可能という。製造するLSIには,ひずみSi技術と超低誘電率(ELK)配線間絶縁体を適用する。
まず省電力(LP:Low Power)モデルの製造を開始し,その後,汎用/高性能(GS:General Purpose and High Performance)に取り組む。
45nm版LPモデルの集積度は65nm版に比べて2倍高く,ダイ1個当たりの消費電力と製造コストが大幅に下がるという。TSMCでは「最終的な製品のダイ・サイズは40%小さい」とする。
また45nm版GSモデルは集積度が65nm版の2倍以上になり,処理速度が30%以上速くなるにもかかわらず,漏れ電流は同等で済む。
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