プロセッサの省電力技術は，主に三つ。クロック周波数や電圧の抑制，回路への電力供給ストップ，リーク電流（漏れ電流）の抑制だ。
クロック周波数が高くなると，回路内を流れる電流の量が増える。プロセッサの内部では，クロック周波数に応じて（1GHzなら10億回/秒），充電と放電を繰り返しているからだ。軽い処理のときにクロック周波数を落とせば，電力を節約できる（図2左上）。マルチコア・プロセッサでは，コア（演算器や1次キャッシュを格納するプロセッサの中核）ごとに周波数を設定できるようになっている（図2右上）。
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| 図2●プロセッサの消費電力を削減する技術 [画像のクリックで拡大表示] |
コアの内部では，利用していない回路に対するクロックの供給を止める。プロセッサはクロックの信号に合わせて動作するため，信号が来なければ電力を消費しない（図2左下）。
リーク電流への対策も進んでいる。最先端のプロセッサでは，トランジスタをつなぐ配線の幅（製造プロセス）が45nmまで微細になり，そこから漏れる電流（リーク電流）が無視できなくなっている。「ゲート」と呼ぶ部分の絶縁膜の素材を，従来の二酸化ケイ素から高誘電率（High-k）の物質に変更することで対処する（図2右下）。インテルが2007年に出荷した製品では，リーク電流を10分の1に抑制した。
メモリー：電圧を抑制
メモリーも，クロック周波数と電圧によって消費電力が変わる。ただし，メモリーは自律的に周波数をコントロールできないため，電圧を下げることで消費電力を抑える。
半導体部品の標準化団体であるJEDECが，メモリーの電圧の規格を定めている。2002年ころから普及していたメモリーの規格（DDR1）は電圧が2.5Vだったが，現在普及しているメモリーの規格（DDR2）の電圧は，1.8Vに下げられている（図3左）。これによりエルピーダメモリの製品では，1.8Vで動くメモリーでデータ転送する際の消費電力を，2.5Vで動くメモリーの半分に削減できた。
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| 図3●メモリーの消費電力を削減する技術 [画像のクリックで拡大表示] |
メモリー内部で電力供給を止める技術もある。データの読み書きなどの処理が行われていないときに，メモリー内部の回路部分への電力の供給を一時的に停止するのである（図3右）。
