米Intel Corp.は，45nm世代のプロセス技術を適用したマイクロプロセサ製品ファミリ「Penryn」（開発コード名）の試作チップや製品化計画の概要を，2007年4月17日から中国北京で開催中のIDF Spring 2007で公開した。半導体プロセス技術の牽引役を自負する同社にとって，45nm世代の実用化一番乗りは競合には譲れないところだ。今回のIDFでは，こうした同社の意気込みが随所に現れている。例えば45nmプロセスを適用した低消費電力版マイクロプロセサ「Silverthorne」（開発コード名）を，2008年に超小型パソコン・プラットフォーム「UMPC（Ultra Mobile PC）」向けに投入する方針を明らかにした。
「45nm世代の実用化は歴史的な意味を持つ。これまでのような単なる微細化ではなく，トランジスタ構造を一新したからだ」（Intel社）。Intel社は今回，45nmプロセスに高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜とメタル・ゲートを新たに導入する。これらの新材料導入の意義を，講演では繰り返し強調した。例えば65nm世代のプロセス技術に比べてスイッチング時の消費電力が30%低減するほか，リーク電流の抑制につながるとする。集積度とスイッチング速度はそれぞれ2倍に高まる。Intel社はこれから製品化する45nm世代の製品すべてに，これらの新トランジスタ技術を適用する。
基調講演では，45nmの工場の立ち上げ状況についても言及した。2007年下半期から米国オレゴン州の「Fab D1D」とアリゾナ州の「Fab 32」の稼働を始める。さらに2008年上半期にはイスラエルの「Fab 28」，2008年下半期にはメキシコの「Fab 11X」をそれぞれ稼働するという。
