Intel社は試作ウエハーの実物を披露した。Rattner氏が手に抱えているのがPRAMのウエハーである。なおRattner氏の左側後方にみえるのは，次期マイクロプロセサ「Rinren」を45nmルールで試作した300mmウエハーである。
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PRAMの特徴を説明したスライドで「Next Generation Flash」とうたう。
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米Intel Corp.は，かねてより開発を進めてきたPRAM（phase change RAM）の試作ウエハーを，2007年4月16日から中国北京で開催中のIDF Spring 2007で披露した。Intel Corp., CTOのJustin Rattner氏は基調講演において「2007年後半にも量産を始める」と明言した。「まずはNOR型フラッシュ・メモリーの置き換えを検討する。ただしそれだけにとどまらない。いずれDRAMを置き換える可能性もある。注目すべき技術だ」（CTOのRattner氏）。
PRAMは相変化メモリとも呼ばれ，米Intel Corp.や韓国Samsung Electronics Co., Ltd.，伊仏STMicroelectronics社などがフラッシュ・メモリーの後継となる不揮発性メモリーとして開発を活発化させている。Intel社はこれまでに，90nm世代のPRAMの評価用サンプルを2007年第1四半期中に出荷する方針を明らかにしていた（Tech-On！関連記事）。
(堀切 近史＝日経エレクトロニクス)
